新型衬底GaN基材料的外延技术
围绕130lm/w以及更高亮度的白光LED的研发目标，通过公关研究，初步建立从新型单晶制备、图形衬底设计加工以及新型衬...
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130lm/W半导体照明集成技术研究
130lm/W半导体照明集成技术研究是“十一五”平台建设的技术任务目标，也是半导体照明进入通用照明道路中的重要阶段...
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100lm/w半导体照明制造技术(与企业合作)
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LED背光源模组技术研究(与企业合作)
随着世界范围内平板显示产品显像技术的升级，平板电视轻薄化、环保节能化发展已成定势，因此对新一代平板电视产品的各...
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HVPE法制备GaN 同质衬底研制
Hydride Vapor Phase Epitaxy(HVPE)是当前主要的GaN衬底实现方法，从2004年起开始研究HVPE法生长GaN，获得了260微米...
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新型大功率器件技术研究
功率型高效发光二极管是实现半导体照明的核心器件。该领域的发展引起了全球企业和研究机构的重视。目前，发光效率与...
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紫外LED用AlGaN材料生长研究
半导体深紫外光源的研究在印刷、水净化、医疗、环境保护、高密度的信息储存和保密通讯等领域都有重大应用价值。而以...
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MOCVD材料生长等关键设备开发
MOCVD （金属有机化学气相沉积）设备，特别适合化合物半导体功能结构材料的规模化工业生产，是LED产业链上最关键的...
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