实验室概况

中心简介

中国科学院半导体研究所宽禁带半导体材料研发中心为原半导体照明研发中心,于2004年开始筹建,着力于开发基于氮化物材料的LED发光技术,技术范畴涵盖了外延设备制造、材料生长、器件工艺、分析测试以及应用等领域。为我国半导体照明技术和产业的发展起到关键的推动作用。目前中心的研究领域包括紫外发光材料与器件、微显示氮化物材料与器件、超宽禁带半导体材料、新型氮化物功能器件以及超越照明的光生物应用等。