科研方向

HVPE法制备GaN 同质衬底研制

    Hydride Vapor Phase Epitaxy(HVPE)是当前主要的GaN衬底实现方法,从2004年起开始研究HVPE法生长GaN,获得了260微米/小时以上的生长速率、缺陷密度低于107/cm2、XRD(0002)摇摆曲线半宽小于150弧秒、实现TiN辅助自剥离的GaN衬底。同时我们在国际上首次实现了m面蓝宝石上生长m面GaN,为实现大面积可用的非极性衬底提供了新的方法。

 

研究内容:

1、 HVPE设备研制

针对目前商业HVPE设备不完善的状况,研发单片和多片HVPE设备,实现稳定可靠的GaN外延生长。

2、 HVPE工艺研制

研究蓝宝石、Si等衬底上的氮化物生长工艺;

高速率、高质量GaN外延工艺;

寄生产物处理工艺等。

3、 自支撑GaN衬底

研究激光剥离实现自支撑GaN衬底;

研究自剥离实现自支撑衬底;

研究牺牲层实现自支撑衬底等。