2014年9月24日,科技部半导体照明专项管理办公室组织的863计划“高效半导体照明关键材料技术研发”重大项目课题验收会在中科院半导体所举行,“深紫外LED外延生长及应用技术研究”课题负责人闫建昌副研究员向验收专家汇报了课题的任务完成情况和取得的成果。课题通过AlN/AlGaN材料外延生长技术、高效量子结构设计和外延技术、深紫外LED芯片制造和封装技术等方面技术创新,研制成功深紫外LED器件,室温峰值发光波长280nm,在20mA直流电流下光输出功率达到4.8mW。通过答辩质询和实验室现场验收,验收专家一致认为“课题组全面完成了任务书中的各项研发内容,达到了考核指标”,“专家组一致同意该课题通过验收”。
半导体照明研发中心主任李晋闽研究员、副主任王军喜研究员、课题骨干孙莉莉博士及课题参与单位北京大学、厦门大学、西安交通大学、北京朗波尔光电有限公司等的代表参加了验收会。