2014年度科技创新基地培育与发展工程专项项目顺利通过专家组论证

        2014年6月20日，按照北京市科委对2014年度科技创新基地培育与发展工程专项项目申报工作的要求，中科院半导体照明研发中心召开了专项项目“基于高Al组分氮化物材料的深紫外模组及应用技术研究”的专家论证会。

        专家组听取了项目申报单位的报告，审查了申报材料，对本项目的管理体系、预算编制、实施方案等进行了深入的论证。经过质询和讨论，认为该项目管理方法可靠、财务预算合理，定位符合北京市科技发展规划，是第三代半导体材料和应用的重点发展方向。对于创新团队的建设、促进北京市新材料高技术产业发展、抢占技术核心制高点等具有重要意义，同时具有良好的经济和社会效益。