宽带隙半导体材料研究进展

1、氧化锌单晶

CVT法生长的国内最大的ZnO单晶（直径45mm）

性能：(0001)晶向，直径45毫米，N型，迁移率130-200cm /VS，载流子浓度(2-5)×10¹⁷ cm^-3。

2、氮化铝晶片(AlN）

升华法生长的AlN晶锭

性能：(0001)晶向，直径40-50毫米，电阻率大于10⁹ 欧姆厘米。

■HVPE厚膜GaN材料生长

在MOCVD GaN模板上外延的厚膜GaN材料，生长速率达到260μm/hr。

右上角为我们使用的六边形横向生长模板。

      
HVPE厚膜GaN(0002)峰DCXRD摇摆曲线

141arcsec的半峰宽显示了很高的单晶质量，为当时国内报导最好水平。

多片2英寸衬底朝下立式HVPE设备

自主设计，全制动控制