1958年，拉制成功我国第一根硅单晶。
1962年，研制成功我国第一根砷化镓单晶，电子迁移率达4800cm2/Vs,达到当时国际先进水平。
1973年，研制成功中国第一根低位错重掺硅砷化镓单晶，位错密度达到EPD<100/ cm2,达到当时国际先进水平。
1977年，制备出我国第一根磷化鎵单晶。
2001年以6英寸砷化镓单晶关键技术为依托，成立了中科镓英半导体技术有限公司，实现产业化，达到年产各类砷化镓和磷化铟单晶衬底三十万片，在国际市场占了一席之地。
研制成功我国最重最长4英寸液封直拉法砷化鎵单晶
研制成功我国最重最长6英寸液封直拉法砷化鎵单晶