HVPE厚膜GaN材料生长
在MOCVD GaN模板上外延的厚膜GaN材料，生长速率达到260μm/hr。 右上角为我们使用的六边形横向生长模板。
HVPE厚膜GaN(0002)峰DCXRD摇摆曲线 141arcsec的半峰宽显示了很高的单晶质量，为国内报导最好水平。
自主研发的HVPE设备自主设计衬底向下方式独特的双层管路防止NH4Cl污染
