科研成果

领先第三代半导体材料的研发

氧化锌单晶
性能:(0001)晶向,直径45毫米,N型,迁移率130-200cm /VS,载流子浓度(2-5)×1017 cm-3。

CVT法生长的国内最大的ZnO单晶(直径45mm)CVT法生长的国内最大的ZnO单晶(直径45mm)
CVT法生长的国内最大的ZnO单晶(直径45mm)

氮化铝晶片(AIN)
性能:(0001)晶向,直径40-50毫米,电阻率大于109 欧姆厘米。

升华法生长的AlN晶锭 AlN晶片
升华法生长的AlN晶锭                              AlN晶片

Si基GaN材料研究

光学显微镜观察到无裂纹GaN表面,AFM RMS为0.2nm

            GaN材料(0002)和(10-12)晶面X射线摇摆        光学显微镜观察到无裂纹GaN表 
            AFM 曲线显示晶体质量处于国际水平                    面, RMS为0.2nm