基础材料方面研究成果

    HVPE GaN厚膜材料生长，新型宽禁带半导体单晶材料、单晶薄膜制备和掺杂技术取得突破性进展。其中， HVPE厚膜GaN材料生长速率达到200?m/h；利 用高温升华法生长出直径37毫米厚10mm的AlN晶体和20毫米见方的单晶晶粒；国际上首次研究成功一种生长ZnO单晶的CVT新方法，目前可提供最大直径45毫米的低位错（200cm-2）ZnO单晶衬底，生长速度每小时10微米，生产成本和价格远低于其它生长方法。