基于蓝宝石衬底和非极性面衬底上的MOCVD高Al组分、高In组分AlGaN、InGaN外延生长技术处于国际领先地位；电子学材料异质结结构电子迁移率超过2000 cm2/V.s，利用该材料已研制成功X波段功率放大器;光子学材料已研制成大功率LED和脉冲激射LD,均达到国际先进水平； Si/SiC衬底上异质结构材料生长的关键技术，大失配异质结构材料体系柔性衬底理论与制备技术获得重大进展。
科技部评估
