功率型发光二极管器件研究进展

氮化镓基倒装大功率发光二极管
    采用倒装结构（flip-chip）功率型LED，LED芯片通过硅支撑体（热导率148W/mK）与热沉相连，改善功率型LED的电学、光学及热学性能。研制的倒装结构大功率LED在350mA工作电流下，工作电压小于3.5V,发光效率50lm/W。

蓝光LED/Blue LEDs

倒装功率型微结构LED
    微盘结构LED减小光线横向吸收损耗及全反射损耗，提高器件提取效率。

μ-LED                                                       4*4阵列结构LED

倒装小芯片阵列集成功率型LED
    功率效率相比大尺寸功率型LED（1mm²）提高25%，散热性能得到很大程度改善

①硅sub-mount背孔铜填充型低热阻倒装结构大功率LED
    关键技术：深硅刻蚀技术、背孔填充技术。
    测试结果：热阻值相比一般结构降低38% .

低热阻背孔结构倒装LED      硅支撑体背孔制作完成后图片        背孔结构LED倒装后发光照片

②新型双透明电极条状结构大功率LED
    P、N电极均采用透明导电膜ITO，减少了金属电极造成的光线吸收损耗。条形结构有利于提高器件提取效率，降低热阻。白光LED在350mA工作电流下，工作电压3.2V，光效大于70lm/W,封装后热阻小于7K/W。

双透明电极条形结构LED

③垂直结构LED
    关键技术：衬底键合、激光剥离。
     激光剥离良品率95%以上。

                         激光剥离样品                                 垂直结构LED