围绕130lm/w以及更高亮度的白光LED的研发目标，通过公关研究，初步建立从新型单晶制备、图形衬底设计加工以及新型衬底GaN基材料外延的技术平台，可以为高效、大功率、高亮度的LED白光照明不断提供新材料支撑技术；掌握各种新型衬底上外延高质量GaN材料的关键技术，成为具有国际一流水平的白光LED基础材料研发中心，为我国半导体照明产业发展提供创新型技术支持。