2016年3月1日，由中国科学院半导体研究所、扬州中科半导体照明有限公司联合共建的“扬州中科半导体照明有限公司-中科院半导体所联合实验室”签约仪式在半导体所3号楼320会议室举行。半导体所所长李树深院士、中材集团董事长刘志江、扬州经济技术开发区副主任施益香、国家半导体照明研发及产业联盟秘书长吴玲参加了签约仪式。扬州中科半导体照明有限公司董事长杨渝蓉、中国科学院半导体研究所半导体照明研发中心主任李晋闽分别代表各自单位签署协议。扬州中科半导体照明有限公司是从事氮化物半导体高端外延片、芯片、照明及其他光电子产品研发、设计、生产、销售的高科技企业。中国科学院半导体研究所长期致力于GaN LED材料和芯片技术及应用研究，在高效LED的单项工艺技术、材料性能表征与分析、缺陷与杂质、芯片制备等方面取得大量研究成果，积累了丰富的经验。双方将以此合作平台为基础，围绕企业技术和市场需求开展技术研发工作，建设国内一流、国际先进的化合物半导体相关技术研发平台，使之成为一个合作紧密、管理科学、互利共赢、创新发展的产学研联合体；建设一支由双方尖端人才共同组成的技术团队，为双方未来的发展而服务，培养更多优秀人才。“扬州中科半导体照明有限公司-中科院半导体所联合实验室”每年入所运行费100万元。参加签约仪式的还有中材集团企业管理部部长邵晓阳、扬州中科半导体照明有限公司总经理王国宏、党委副书记兼纪委书记张寅、中科院半导体所成果管理与转化处...
在中国科学院和广东省共同支持下，由中科院半导体研究所负责研制开发的48片MOCVD首台样机取得重大进展。样机不仅经过了真空、压力、温度、旋转、自动传输等一系列设备性...
